Μπορεί τα 32 GB αποθηκευτικού χώρου σε ένα smartphone για μερικούς να ήδη πολλά, αλλά το Rice University προτείνει μια νέα τεχνική που θα οδηγήσει σε εκ νέου αύξηση της εσωτερικής μνήμης για την αποθήκευση ενός μεγάλου όγκου δεδομένων. Οι ερευνητές του Rice University κατάφεραν να δημιουργήσουν μία RRAM (resistive RAM) για την αντικατάσταση των τωρινών flash memory με chips που μπορεί να φτιαχτεί με τα υπάρχοντα εργαλεία σε θερμοκρασία δωματίου, καθιστώντας πιο εύκολο το έργο για περισσότερα GB. Η μέθοδος κατασκευής απαιτεί πολύ λιγότερη ενέργεια για να λειτουργήσει συγκριτικά με υπάρχοντες μεθόδους, ανοίγοντας έτσι τον δρόμο για την υιοθέτηση της από τους κατασκευαστές.
Το ολοκληρωμένο άρθρο του myphone.gr περιέχει ακόμη 182 λέξεις ...
Το ολοκληρωμένο άρθρο του myphone.gr περιέχει ακόμη 182 λέξεις ...
from myphone.gr http://ift.tt/WZlKyR
via IFTTT
Δεν υπάρχουν σχόλια:
Δημοσίευση σχολίου